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DC转换器肖特基二极管SBD

发布时间:2020-07-21 18:15:27 阅读: 来源:胶条厂家

肖特基(Schottky)二极管是将金属层沉积在N型硅的薄薄外延层上,利用金属和半导体之间的接触势垒获得单向导电作用,相当于PN结。这个接触面称为“金属半导体结”。肖特基二极管的全名应为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)。现有的大多数肖特基二极管都是用硅(51)半导体材料,新材料碳化硅(SiC)的SBD也已被应用。

1)硅SBD的特点

正向压降比PN结二极管低,约为后者的1/2~1/3,典型值为0.45~0.55V,新型低压的可以低达0.32V;反向电压较低,在数十伏以下的较多(最高200 V),适用于低电压的电路中。

2)硅SBD的关断速度

硅MD的关断速度极快,属于快恢复二极管,其整流作用仅取决于多数载流子的漂移现象,没有多余的少数载流子,无存储效应,不存在正向和反向恢复现象,trr仅是势垒电容的充、放电时间,故函小于相同额定的结型二极管,而且与反向di/dt无关。反向恢复时间trr约为10ns数量级。

3)硅SBD的缺点

硅SBD的缺点是反向漏电流比结型二极管大得多,结电容也较大。

4)碳化硅肖特基二极管

碳化硅肖特基二极管的最高反向电压能达到2200V;已在市场上见到的有600V、1200V、1700V的产品,正向压降约为1V。

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